【供应】2SK3666-3-TB-E
- 产品型号：2SK3666-3-TB-E
- 生产厂家： ON Semiconductor
- 产品规格：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商：查看供应商>>
美元参考价格
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3000pcs： $0.09162/pcs
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6000pcs： $0.08653/pcs
15000pcs： $0.07890/pcs
30000pcs： $0.07381/pcs
75000pcs： $0.06617/pcs
150000pcs： $0.06363/pcs
详细信息
产品目录绘图：
CP Package N-Channel & RF Fets, Top
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：1.2mA @ 10V
漏源极电压 (Vdss)：30V
漏极电流 (Id) - 最大值：10mA
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：180mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4pF @ 10V
电阻 - RDS（开）：200 欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-CP
功率 - 最大值：200mW
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：1.2mA @ 10V
漏源极电压 (Vdss)：30V
漏极电流 (Id) - 最大值：10mA
FET 类型：N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：180mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4pF @ 10V
电阻 - RDS（开）：200 欧姆
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-CP
功率 - 最大值：200mW
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2SK3666-3-TB-EONSemiconductorJFETN-CH10MA..2023+10164000原装进口现货品质保证
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2SK3666-3-TB-EONSemiconducto..3-CP2023+12244全新进口原装现货品质保证
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2SK3666-3-TB-EonsemiSMCP2023+500全新原装现货质量保证
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2SK3666-3-TB-EONSC-59-32023+16000【【【原装绝对有货】】】
